晶體硅光伏（PV）方陣I-V特性的現場測量方案主要包括以下步驟：

1. 設備準備：首先，需要準備相關的測試設備，包括數據采集系統、光源系統、溫度控制系統以及數據處理軟件等。這些設備將分別負責實時采集光伏方陣的電流和電壓數據、提供穩定的光照條件、確保測試過程中的溫度穩定以及處理和分析采集到的數據。
2. 測試環境設置：在測試前，需要確保測試環境符合相關標準和要求。光源系統應提供穩定的光照條件，溫度控制系統應確保測試過程中的溫度穩定。
3. 方陣連接與校準：將待測的光伏方陣與測試設備連接，并進行必要的校準，確保測試結果的準確性。
4. 數據采集：啟動數據采集系統，開始實時采集光伏方陣的電流和電壓數據。確保數據采集的準確性和實時性，以便后續分析和處理。
5. 數據分析與處理：利用數據處理軟件對采集到的數據進行分析和處理，生成I-V曲線和性能參數報告。通過分析I-V曲線，可以評估方陣的性能參數，如短路電流、開路電壓、填充因子和轉換效率等。
6. 結果評估與報告：根據分析結果，評估光伏方陣的性能狀況。如果發現性能問題或異常，需要進行進一步的故障診斷和處理。最后，編寫測試報告，記錄測試過程、結果和評估結論。

在整個測試過程中，應確保測試設備的準確性和可靠性，遵循相關的測試標準和規范。同時，注意測試過程中的安全事項，確保人員和設備的安全。

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